稳定度、准确度、长期稳定度的主要区别是什么？

通常人们说的稳定度指的是温度稳定度，因为温度稳定度是衡量晶振短期稳定性的最主要的指标。 
准确度指的是在常温环境下晶振的输出频率fx和中心标称频率f0比较。公式如下：准确度 = (fx- f0) / f0。 
影响准确度的主要因素有晶振出厂准确度、温度漂移、电压特性、负载特性、老化漂移等。 
长期稳定度指的是年老化率、10年老化率。

主要的输出波形对比

晶振输出波形有Clipped sine、TTL、LV-TTL、HCMOS、PECL、LVDS和Sine Wave等。每种输出类型都有它的独特波形特性和用途。对称性、上升和下降时间以及逻辑电平对某些应用来说也要作出规定。许多DSP和通信芯片组往往需要严格的对称性（45%至55%）和快速的上升和下降时间（小于5ns）。以下是常见波形比对表：

(LV)TTL、(H）CMOS、(P)ECL、LVDS、(Clipped)Sine Wave几种波形的主要区别是什么？

这几种波形都是目前行业常用的波形。通常，方波输出功率大，驱动能力强，但谐波分量丰富；正弦波带载能力不如方波，但谐波分量小。

   TTL（Transistor-Transistor Logic）：

Vcc：5V；VOH>=2.4V；VOL<=0.5V；VIH>=2V；VIL<=0.8V。因为2.4V与5V之间有很大空闲，对改善噪声容限没好处，会增大系统功耗，并影响速度，所以后来出现LVTTL(Low Voltage TTL)。在晶振产品中，LVTTL分为3.3V、2.5V，其中以3.3V为主。

   CMOS：

Vcc：5V；VOH>=4.45V；VOL<=0.5V；VIH> =3.5V；VIL<=1.5V。
CMOS相对TTL有了更大的噪声容限，输入阻抗远大于TTL输入阻抗。对应3.3V LVTTL，出现了LVCMOS，可以与3.3V的LVTTL直接相互驱动。 
使用时应注意：CMOS结构内部寄生有可控硅结构，当输入或输入管脚高于VCC一定值时，电流足够大的话，可能引起闩锁效应，导致芯片的烧毁。

HCMOSHCMOS-全静态设计、高速互补金属氧化物半导体工艺，COMS-互补金属氧化物半导体。CMOS将被HCMOS所替代。

   ECL（Emitter Couple Logic）：

ECL电路的特点：基本门电路工作在非饱和状态，ECL电路具有相当高的速度，平均延迟时间可达几个毫微秒甚至亚毫微秒数量级。 
ECL电路的逻辑摆幅较小（仅约 0.8V ，而 TTL 的逻辑摆幅约为 2.0V ），当电路从一种状态过渡到另一种状态时，对寄生电容的充放电时间将减少，这是 ECL电路具有高开关速度的重要原因。但逻辑摆幅小，对抗干扰能力不利。ECL电路具有很高的输入阻抗和低的输出阻抗。 
Vcc=0V；Vee：-5.2V；VOH=-0.88V；VOL=-1.72V；VIH=-1.24V；VIL=-1.36V。 ECL电路速度快，驱动能力强，噪声小，很容易达到几百M的应用，但是功耗大，需要负电源。为简化电源，出现了PECL(ECL结构，改用正电压供电)和LVPECL。

   PECL (Pseudo/Positive ECL)：

   Clipped Sine Wave:

削顶正弦波(Clipped Sine Wave)相比方波的谐波分量少很多，但驱动能力较弱，在负载10K//10PF时Vp-p为0.8Vmin。通常为SMD 7050、5032、3225使用的波形。